特許
J-GLOBAL ID：200903052231717108

パターン検査装置および方法

発明者：
北村 正

北村 正 について

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久保田 和文

久保田 和文 について

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中澤 伸一

中澤 伸一 について

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長谷部 俊昭

長谷部 俊昭 について


出願人/特許権者：
株式会社ナノジオメトリ研究所

株式会社ナノジオメトリ研究所 について


代理人 (5件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139591
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149055
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成部11と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置7と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査部12とを備え、データに基づいて製造された半導体デバイスから欠陥情報を得て、得られた欠陥情報から、データを構成する同じ幾何学情報に関連する繰り返し発生する欠陥を認識する繰り返し欠陥認識部25を備えた。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、 前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、 前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、 前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、 前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、 前記データに基づいて製造された半導体デバイスから欠陥情報を得て、前記得られた欠陥情報から、前記データを構成する同じ幾何学情報に関連する繰り返し発生する欠陥を認識することを特徴とするパターン検査装置。
IPC (3件)：
G06T 1/00 ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
G06T1/00 305A ,  G01N23/225 ,  H01L21/66 J ,  G06T1/00 305D
Fターム (38件)：
2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001FA06 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001JA03 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ15 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  5B057AA03 ,  5B057BA01 ,  5B057BA11 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057CB08 ,  5B057CB12 ,  5B057CB16 ,  5B057CC02 ,  5B057DA03 ,  5B057DA08 ,  5B057DA16 ,  5B057DB02 ,  5B057DB09 ,  5B057DC16 ,  5B057DC33 ,  5B057DC36
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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