特許
J-GLOBAL ID：200903020137129864
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-185255
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072562
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】レーザ駆動初期のインピーダンスを安定化させ、低電流での発振、応答速度の高速化、ノイズの低減等が実現されたレーザ素子を提供する。【解決手段】第1及び第2導電型半導体層2,4、活性層3と、第1電極13及び第2電極12とを有し、第2電極はオーミック電極8とパッド電極11とからなり、オーミック電極は、第2導電型半導体層の一部にストライプ状にオーミック接続され、パッド電極はその表面であって、オーミック接続された領域の実質的に一方向側においてのみワイヤボンディングに十分な領域が確保され、第1電極は、第1導電型半導体層表面に対して第2電極と同一面側に形成され、かつオーミック接続された領域に対してパッド電極と同一方向側にのみ配置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層が積層され、かつ前記第1導電型半導体層に接続された第1電極及び前記第2導電型半導体層に接続された第2電極を有する半導体レーザ素子であって、
前記第2電極は、オーミック電極とパッド電極とからなり、前記オーミック電極は、前記第2導電型半導体層の一部にストライプ状にオーミック接続され、該パッド電極は、その表面であって、前記第2導電型半導体層とオーミック電極とがオーミック接続された領域の実質的に一方向側においてのみワイヤボンディングに十分な領域が確保されており、
前記第1電極は、前記第1導電型半導体層表面に対して前記第2電極と同一面側に形成され、かつ前記オーミック接続された領域に対して前記パッド電極と同一方向側にのみ配置され、
前記第2導電型半導体層は、前記オーミック接続された領域の両側で光の閉じ込めを確保し得る最小限の幅に設定されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F173AA08
, 5F173AF25
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AK22
, 5F173AK23
, 5F173AL02
, 5F173AL10
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP36
, 5F173AP62
, 5F173AP72
, 5F173AP84
, 5F173AR66
, 5F173AR69
, 5F173ZR10
