特許
J-GLOBAL ID：200903008111254598

半導体レーザ装置および短波長レーザ光源

発明者：
浅野 英樹

浅野 英樹 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-205487
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101147
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 逆バイアスpn接合を持つ電流狭窄部を備えた半導体レーザ装置の高周波特性を向上させる。【解決手段】 基板10上に積層された活性層12と、この活性層12の所定のストライプ状領域のみに電流注入するための開口を有して該活性層12の上に形成された電流阻止層31を含む、p型およびn型の多層膜からなる電流狭窄部とを備えてなる半導体レーザ装置において、電流阻止層31の上側に位置する半導体層表面から電流阻止層31を貫通して少なくとも活性層12まで到達し、かつ前記開口を挟んで前記ストライプ状領域に沿って延びる1対の溝51,51を形成し、電流阻止層31の上側に位置する半導体層表面に、少なくとも前記開口の上方位置に当たる部分を除いて絶縁膜15を形成し、この絶縁膜15の上に電極16を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に積層された活性層と、この活性層の所定のストライプ状領域のみに電流注入するための開口を有して該活性層の上に形成された電流阻止層を含む、p型およびn型の多層膜からなる電流狭窄部とを備えてなる半導体レーザ装置において、前記電流阻止層の上側に位置する半導体層表面から前記電流阻止層を貫通して少なくとも前記活性層まで到達し、かつ前記開口を挟んで前記ストライプ状領域に沿って延びる1対の溝が形成され、前記電流阻止層の上側に位置する半導体層表面に、少なくとも前記開口の上方位置に当たる部分を除いて絶縁膜が形成され、この絶縁膜の上に電極が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (5件)：
H01S 5/227 ,  G02F 1/377 ,  H01S 3/10 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/343
FI (5件)：
H01S 5/227 ,  G02F 1/377 ,  H01S 3/10 Z ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/343
Fターム (38件)：
2K002AA05 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002DA06 ,  2K002FA27 ,  2K002GA04 ,  2K002HA20 ,  5F072JJ20 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR03 ,  5F072SS06 ,  5F072YY16 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA61 ,  5F073AA67 ,  5F073AA73 ,  5F073AA89 ,  5F073AB23 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073BA06 ,  5F073CA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA23 ,  5F073EA03 ,  5F073EA07 ,  5F073EA14 ,  5F073EA23 ,  5F073EA27 ,  5F073EA29 ,  5F073FA27 ,  5F073GA24
引用特許：
審査官引用 (13件)
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