特許
J-GLOBAL ID：200903094471165778
窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054551
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256660
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 動作電圧が低い絶縁基板上の窒化ガリウム半導体レーザを実現する。【解決手段】 サファイア基板101上にn型半導体層(103〜105)、MQW活性層106、p型半導体層(107〜109)が形成されている。素子の約半分の領域はn型GaN層103が露出するまで104〜109までの層が除去され、n側電極112が形成されている。p側は電流をストライプ状に狭窄するために、p型GaN層109を残し、ストライプ外のp型GaN層109を除去してリッジ110を形成する。リッジ110のp型GaN層109上にp側電極111を形成する。リッジ110の位置はn側電極112を形成するため、エッチング側壁113に近づけ、n側電極112とp側電極111が接近するようにする。n型GaN層103を横方向に流れる距離が短くなり、抵抗が小さくでき、動作電圧を低減できる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されたn型半導体層、活性層、p型半導体層とを備えた、半導体レーザであって、前記活性層を含む半導体層が除去されて、前記n型層が露出しており、n型半導体層上には電極が形成されており、前記p型半導体層にも、ストライプ状に電流を流す領域が形成されており、前記ストライプ状に電流を流す領域と、前記n型半導体層上の電極との間の間隔が、電極の端の近い方どうしで150μm以下である窒化ガリウム系半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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