特許
J-GLOBAL ID：200903020166932838
3族窒化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209183
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036423
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】3族窒化物化合物半導体を用いた紫外線発光素子の発光効率の向上。【構成】発光層5は、膜厚約100 ÅのIn0.07Ga0.92N から成る20層の井戸層52とこの井戸層よりも禁制帯幅の広いGaN から成る21層のバリア層51とを交互に多数積層させた多重量子井戸で構成され、各井戸層52にシリコンを濃度 5×1017/cm3に添加した。シリコンによるドナー準位が各井戸層52に形成されるため、発光に寄与する電子とホールとの再結合確率が増大するために、紫外線の発光強度が向上する。
請求項（抜粋）：
発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、前記発光層は、Alx1GaY1In1-X1-Y1N から成る井戸層とこの井戸層よりも禁制帯幅の広いAlx2GaY2In1-X2-Y2N から成るバリア層とを交互に積層させた量子井戸で構成され、前記各井戸層にドナー不純物又はアクセプタ不純物を添加したことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
引用特許：
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