特許
J-GLOBAL ID：200903020191168921

Ni-W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法

発明者：
澤田 俊之

澤田 俊之 について

, 
柳谷 彰彦

柳谷 彰彦 について


出願人/特許権者：
山陽特殊製鋼株式会社

山陽特殊製鋼株式会社 について


代理人 (1件)： 椎名 彊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-186421
公開番号（公開出願番号）：特開2009-024198
出願日： 2007年07月18日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるNi-W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。【解決手段】 at%で、W:5〜20%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したNi-W系合金粉末を原料粉末とし、これを900〜1150°Cの温度で固化成形したことを特徴とするNi-W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。また、上記固化成形温度を900〜1050°Cとすることを特徴とするNi-W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
at%で、W:5〜20%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したNi-W系合金粉末を原料粉末とし、これを900〜1150°Cの温度で固化成形したことを特徴とするNi-W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。
IPC (4件)：
C22C 1/04 ,  B22F 3/15 ,  C22C 19/03 ,  B22F 3/14
FI (4件)：
C22C1/04 B ,  B22F3/15 M ,  C22C19/03 M ,  B22F3/14 D
Fターム (6件)：
4K018AA08 ,  4K018BA04 ,  4K018BB10 ,  4K018EA02 ,  4K018EA13 ,  4K018KA29
引用特許：
出願人引用 (5件)
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