特許
J-GLOBAL ID：200903098086798099

スパッタリングターゲット

発明者：
森本 敏夫

森本 敏夫 について

, 
遠北 正和

遠北 正和 について

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渡辺 宏幸

渡辺 宏幸 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145789
公開番号（公開出願番号）：特開2006-322039
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】環境汚染の原因となるCrを含んでおらず、かつ、パーティクルが少ない薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Wを5〜30質量%、AlおよびTiの少なくとも1種を合計で0.1〜10質量%含有させ、かつ、酸素量を0.05質量%以下に規制し、残部が実質的にNiであるスパッタリングターゲットを用いる。 前記スパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径の大きさが100μm以下であり、かつ、表面粗さRaが10μm以下であることが好ましい。 前記スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、得られる膜中の3μm以上のパーティクル数は2個/cm2未満となる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
Wを5〜30質量%、AlおよびTiの少なくとも1種を合計で0.1〜10質量%含み、かつ、含有される酸素量が0.05質量%以下であり、残部が実質的にNiであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (6件)：
C23C 14/34 ,  C22C 19/03 ,  C22F 1/10 ,  G02F 1/133 ,  H01J 9/20 ,  H01J 11/02
FI (6件)：
C23C14/34 A ,  C22C19/03 M ,  C22F1/10 A ,  G02F1/1335 500 ,  H01J9/20 A ,  H01J11/02 B
Fターム (29件)：
2H091FA02Y ,  2H091FA35X ,  2H091FA35Y ,  2H091FA35Z ,  2H091FB08 ,  2H091FC01 ,  2H091FC10 ,  2H091KA10 ,  2H091LA12 ,  2H091LA30 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC24 ,  5C028AA10 ,  5C040FA10 ,  5C040GH07 ,  5C040JA07 ,  5C040JA31 ,  5C040KA01 ,  5C040KB02 ,  5C040KB09 ,  5C040KB11 ,  5C040KB14 ,  5C040KB28 ,  5C040MA02 ,  5C040MA04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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