特許
J-GLOBAL ID：200903020204365063
静電放電保護装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125858
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタ動作を行わせる少数キャリアの注入を抑制することによってESD基板のラッチアップ発生率を低下させること。【解決手段】 これは、たとえば、従来のp型拡散領域の代わりまたはそれと並列にn型基板またはn型ウェルへの金属コンタクト316、320、328を使用することによって達成される。そのような金属コンタクトを使用することにより、ESD構造を有するショットキー・バリア・ダイオード(SBD)が形成される。SBDは多数キャリア・デバイスなので、SBDが順バイアスのときごくわずかな少数キャリアしか注入されず、それによりラッチアップの可能性が低下する。
請求項（抜粋）：
a)半導体基板と、b)前記半導体基板上の少なくとも1つの拡散領域と、c)前記少なくとも1つの拡散領域と隣接しかつ接触し、それと一緒にショットキー・バリア・ダイオードを形成する少なくとも1つのコンタクトと、d)前記少なくとも1つのショットキー・バリア・ダイオードに接続された静電放電を受ける少なくとも1つの入力端子とを含む静電放電保護装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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