特許

J-GLOBAL ID：200903020239949599

半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法および半導体製造装置

発明者： 佐藤 充
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-277948
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098375
出願日： 2006年10月11日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法等を提供する。また、半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法等を提供する。【解決手段】ノズル22に設けられた開口部から放出される過熱水蒸気を基板100上に走査し、基板100上のシリコン層を熱処理する。この熱処理によって、シリコン層が再結晶化される。この際、シリコン層の表面に酸化膜が形成される。この酸化膜をゲート絶縁膜や容量絶縁膜として使用することができる。かかる処理によれば、過熱水蒸気によりシリコン層の再結晶化を行なうことができる。また、過熱水蒸気によりシリコン層の改質を行うことができる。また、ノズル22と基板100との距離や走査速度を調整することにより基板100に対する熱負荷を低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、過熱水蒸気を導気管に設けられた開口部から放出することにより基板上に成膜された半導体層を熱処理する工程を有し、 前記熱処理によって、前記半導体層が再結晶化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/324

FI (5件)：

H01L21/20 ,  H01L21/31 E ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 617V ,  H01L21/324 J

Fターム (67件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC00 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F152AA12 ,  5F152AA17 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE28 ,  5F152EE11 ,  5F152EE14 ,  5F152EE15 ,  5F152FF21 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03 ,  5F152FH15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 熱プラズマアニール装置およびアニール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-320477   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-166020   出願人：セイコーエプソン株式会社
• シリコン酸化膜の形成方法及びシリコン酸化膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-301524   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-284630号公報