特許
J-GLOBAL ID：200903020248130560

誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ

発明者：
中村 友幸

中村 友幸 について

, 
小中 宏泰

小中 宏泰 について

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佐野 晴信

佐野 晴信 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-374042
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189588
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】 還元性雰囲気での焼成によって得られる積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックであって、薄層化しても、薄層化したほどには誘電率の温度依存性が悪化せず、また、信頼性に優れた誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 ABO3 (AはBa等であり、BはTi等である。)を主成分とし、さらに希土類元素を含む、誘電体セラミックであって、それを構成する結晶粒子21の70%について、その断面を観察したとき、断面積の5〜70%において希土類元素固溶領域22が占め、断面の外周の10〜80%において希土類元素非固溶領域23が占めるようにする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ABO3 (Aは、Ba、またはBaならびにその一部が置換されたCaおよびSrの少なくとも1種であり、Bは、Ti、またはTiならびにその一部が置換されたZrおよびHfの少なくとも1種である。)を主成分とし、さらに希土類元素を含む、誘電体セラミックであって、 当該誘電体セラミックを構成する結晶粒子の70%以上について、その断面を観察したとき、断面積の5〜70%において希土類元素が固溶した希土類元素固溶領域が占め、断面の外周の10〜80%において希土類元素が固溶していない希土類元素非固溶領域が占めていることを特徴とする、誘電体セラミック。
IPC (3件)：
C04B35/46 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12
FI (3件)：
C04B35/46 D ,  C04B35/49 Z ,  H01G4/12 358
Fターム (33件)：
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA10 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA16 ,  4G031AA19 ,  4G031AA21 ,  4G031AA23 ,  4G031AA25 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031BA10 ,  4G031CA04 ,  4G031CA05 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA05 ,  4G031GA07 ,  5E001AB03 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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