特許
J-GLOBAL ID:200903020266941281
金属層形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-173705
公開番号(公開出願番号):特開2005-008941
出願日: 2003年06月18日
公開日(公表日): 2005年01月13日
要約:
【課題】欠陥孔内を被覆して厚さが均一で表面性状に優れる金属層を形成する。【解決手段】プラスチックフィルム1の表面に乾式めっき法により下地金属膜4を形成する工程と、下地金属膜4に有機モノマー含有液を接触させ、欠陥孔6内に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成して、欠陥孔6内を被覆する。さらに、下地金属膜4の上に電解めっき法により金属を成膜し、金属湿式めっき層10を形成する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
絶縁体の表面に金属層を形成する金属層形成方法であって、
前記絶縁体の表面に乾式めっき法により下地金属膜を形成する工程と、
前記絶縁体の前記下地金属膜を形成した面に有機モノマー含有液を接触させ、前記下地金属膜の欠陥孔内の前記絶縁体表面に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成することにより、前記欠陥孔内を被覆する工程とを具備する金属層形成方法。
IPC (7件):
C25D7/00
, C23C18/16
, C23C18/20
, C23C28/00
, C25D5/34
, C25D5/56
, H05K3/00
FI (8件):
C25D7/00 J
, C23C18/16 A
, C23C18/20 Z
, C23C28/00 Z
, C25D5/34
, C25D5/56
, C25D5/56 B
, H05K3/00 R
Fターム (35件):
4K022AA03
, 4K022AA04
, 4K022AA05
, 4K022AA11
, 4K022AA37
, 4K022AA42
, 4K022BA08
, 4K022BA35
, 4K022CA22
, 4K022CA28
, 4K022CA29
, 4K022DA01
, 4K024AA03
, 4K024AA09
, 4K024AB17
, 4K024AB19
, 4K024BA12
, 4K024BA13
, 4K024BA14
, 4K024BA15
, 4K024BB11
, 4K024BC02
, 4K024DA10
, 4K024GA01
, 4K044AA16
, 4K044BA02
, 4K044BA06
, 4K044BA10
, 4K044BA19
, 4K044BA21
, 4K044BB04
, 4K044BC09
, 4K044CA13
, 4K044CA15
, 4K044CA59
引用特許: