特許
J-GLOBAL ID：200903038103864480

半導体装置

発明者：
森塚 真由美

森塚 真由美 について

, 
高田 賢治

高田 賢治 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294392
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100778
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 安定に低抵抗のオーミック接触を実現し、高周波、高出力、高効率で動作する電界効果トランジスタをはじめとする高性能の各種の半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の窒化物半導体層(11)と、その上に設けられ、それよりも大きなバンドギャップを有する第2の窒化物半導体層(12)と、その上に設けられた電極(18)と、を備え、 前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層との間の格子定数の相違に起因した格子歪を有し、且つ前記第1の窒化物半導体層のヘテロ界面(H)近傍に蓄積された電子を前記n側電極にトンネルさせることにより前記n側電極のコンタクト抵抗を低下させる半導体装置を提供する。
請求項（抜粋）：
第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の上に設けられた電極と、を備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層との間の格子定数の相違に起因した格子歪を有し、且つ前記第1の窒化物半導体層のヘテロ界面近傍に蓄積された電子を前記電極にトンネルさせることにより前記電極のコンタクト抵抗を低下させることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H
Fターム (40件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CB10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA63 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR10 ,  5F102GR15 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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