表面平滑化エッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057274
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246248
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】エッチング前の固体材料の表面に生じる表面の荒れが、エッチング後に残留または増大する。これによって、エッチングで形成された量子井戸の側壁面が荒れてしまい、量子井戸の幅が不均一になる。【解決手段】エッチング前の固体材料101の表面荒れを平滑化してからエッチング103を行う。より具体的には、表面荒れのある固体材料101の表面にエッチングを行う際に、第2の工程のエッチング方法における固体材料101のエッチング速度とエッチング速度が等しく、かつ固体材料101の表面を平滑化する表面平滑化層102を成長する第1の工程と、第1の工程の後に、この表面平滑化層102の成長膜厚よりも深いエッチング103を表面平滑化層102を表面に成長した固体材料101に行う第2の工程とを有する。このとき、第1および第2の工程を、真空中で連続して行うことができる。

請求項（抜粋）：

表面荒れのある固体材料の表面にエッチングを行うエッチング方法において、後記第2の工程のエッチング方法における該固体材料のエッチング速度とエッチング速度が等しく、かつ該固体材料の表面を平滑化する表面平滑化層を成長する第1の工程と、該第1の工程の後に、該表面平滑化層の成長膜厚よりも深いエッチングを該表面平滑化層を表面に成長した該固体材料に行う該第2の工程とを有することを特徴とする、表面平滑化エッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/302 N , C23F 4/00 A , H01L 21/203 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭57-076829
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-046501 出願人：川崎製鉄株式会社
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-256729 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る