半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068776
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257155
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【目的】露光、現像により複数の開孔部を形成した後のレジスト膜を熱処理し、開孔部の径を縮小させる際に、縮小後において、外側の開孔部と内側の開孔部の径が同じになるようにする。【構成】形状の異なる開孔部をレジスト膜に形成することにより上記課題を解決する。すなわち、以下の工程により半導体装置を製造する。まず、半導体基板上に被エッチング膜を形成し、この被エッチング膜上にレジスト膜1を形成する。次に、このレジスト膜1に、所定の大きさを有する第1のパターン2が複数配置されてなる第1のパターン群3と、第1のパターン2よりも大きい第2のパターン5,6が第1のパターン群3の外側に複数配置されてなる第2のパターン群4を露光する。その後、レジストを現像し、レジストに第1のパターン群3と第2のパターン群4に対応する開孔部を形成し、開孔部の形成されたレジストに熱処理を施すことにより開孔部を縮小させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に被エッチング膜を形成する工程と、前記被エッチング膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、所定の大きさを有する第1のパターンが複数配置されてなる第1のパターン群と、前記第1のパターンよりも大きい第2のパターンが前記第1のパターン群の外側に複数配置されてなる第2のパターン群を露光する工程と、前記レジストを現像し、前記レジストに前記第1のパターン群と前記第2のパターン群に対応する開孔部を形成する工程と、前記開孔部の形成されたレジストに熱処理を施すことにより前記開孔部を縮小させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/40 511 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (5件)：

G03F 7/40 511 , H01L 21/28 L , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 502 W , H01L 21/90 C

Fターム (18件)：

2H096AA25 , 2H096EA30 , 2H096GA60 , 2H096HA01 , 2H096HA30 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104HH14 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ72 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033XX03 , 5F046AA13 , 5F046AA25 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-364021
特開平4-143765
フォトマスク、パターン形成方法、半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-002582 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (5件)

特開平4-364021
特開平4-143765
フォトマスク、パターン形成方法、半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-002582 出願人：日本電気株式会社

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