特許
J-GLOBAL ID:200903020315866878

電力増幅半導体装置用パッケージとその製造方法およびそれを用いた電力増幅半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-172311
公開番号(公開出願番号):特開2004-022627
出願日: 2002年06月13日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】高出力、高周波数用電力増幅半導体装置用パッケージのベースに生じた反りの影響で放熱性が低下し、半導体装置の特性および信頼性に影響を与える。【解決手段】ベースと枠状部材の接合面間にベースよりも熱膨張係数が大きい薄板金属材料を挟着する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体素子が載置されるベースと前記半導体素子を保護するよう前記ベース上面部に形成された枠状部材と、前記枠状部材と絶縁物により電気的に絶縁され前記半導体素子と外部回路とを電気的に接続するリード端子と、前記半導体素子を保護するキャップからなり、前記ベースと前記枠状部材が接着材を介して接着されていることを特徴とする電力増幅半導体装置用パッケージ。
IPC (1件):
H01L23/02
FI (3件):
H01L23/02 B ,  H01L23/02 C ,  H01L23/02 H
引用特許:
審査官引用 (4件)
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