特許
J-GLOBAL ID：200903020318084250

硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置

発明者：
永嶋 慎二

永嶋 慎二 について

, 
井関 智弘

井関 智弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 井上 俊夫 ,  水野 洋美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-035406
公開番号（公開出願番号）：特開2004-261801
出願日： 2004年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】 塗布液が塗布された基板例えばウエハを加熱して、ウエハ上の塗布膜を硬化させる硬化処理装置において、硬化処理の処理温度を低下させること。【解決手段】 前記硬化処理装置(キュアユニット3)において、第1の処理室S1の加熱プレート32に塗布液が塗布されたウエハWを載置して、第1の温度に加熱することによりベーク処理を行う。次いで前記ウエハを加熱プレート32に載置したままの状態にして、ウエハに対して紫外線を照射しながら、引き続きこのウエハを加熱プレート32により第1の温度よりも高い硬化処理の温度に加熱することによりウエハ上の塗布膜を硬化させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
塗布液が塗布された基板を加熱することにより基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理装置において、 塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ所定温度に加熱するための第1の処理室と、 この第1の処理室に設けられ、加熱プレートに載置された基板に対して紫外線を照射するための第1の照射部と、 前記第1の処理室と連通して接続され、塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整するための第2の処理室と、を備えたことを特徴とする硬化処理装置。
IPC (6件)：
B05C9/14 ,  B05C9/12 ,  B05C13/02 ,  B05D3/06 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31
FI (6件)：
B05C9/14 ,  B05C9/12 ,  B05C13/02 ,  B05D3/06 102C ,  H01L21/31 E ,  H01L21/30 567
Fターム (23件)：
4D075BB26Z ,  4D075BB46Z ,  4D075DA06 ,  4D075DC22 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042AA10 ,  4F042DB15 ,  4F042DB41 ,  4F042DC01 ,  4F042DF34 ,  4F042DH00 ,  4F042DH10 ,  5F045AA00 ,  5F045AB40 ,  5F045AF01 ,  5F045BB07 ,  5F045EB20 ,  5F045EK19 ,  5F045EK26 ,  5F046KA04 ,  5F046KA07 ,  5F046KA10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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