特許
J-GLOBAL ID：200903020355714396

基板製造方法およびIII族窒化物半導体結晶

発明者：
松岡 隆志

松岡 隆志 について

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長尾 哲

長尾 哲 について

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藤戸 健史

藤戸 健史 について

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下山 謙司

下山 謙司 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について

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三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (3件)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-325843
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147271
出願日： 2007年12月18日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】高い結晶性と表面平坦性に優れたN極性面を表面とするIII族窒化物半導体を提供すること。【解決手段】本発明においては、成長用基板として主面が(0001)面に対し0.5°以上2.0°以下のオフ角をもつ基板を採用する。このような成長用基板選択の結果、結晶核の殆どがステップに発生することとなる。そして、N極性面を成長面とするIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程における供給原料のV/III比を小さく設定する。このような原料供給によって、N極性面が窒素原子で終端され尽くされてはいない環境を実現し、V族原子の表面拡散を促進させている。このようにすると、表面平坦性に優れ且つ高い結晶性(チルト成分とツイスト成分が共に小さくしかも貫通転位密度が低い)を有している「-c面」(N極性面)を表面とするIII族窒化物半導体結晶が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面が(0001)面に対し0.5°以上2.0°以下のオフ角をもつ基板の表面を窒化する工程と、 前記表面窒化した基板上に第1のIII族窒化物半導体層を形成する第1の気相成長工程と、 前記第1のIII族窒化物半導体層上に
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/34
FI (5件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34
Fターム (45件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB01 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DP03 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ04 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR82 ,  5F173AR84
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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