窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体結晶成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-243242
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060164
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】複雑な工程を必要としない、また、転位を低減するために厚い膜を形成する必要のない窒化物半導体の転位低減方法を提供する。【解決手段】オフ角度αが0.5°以上の微傾斜基板1を用い、その上に、分子線エピタキシャル成長(MBE)法、有機金属気相成長(MOCVD)法、ハイドライド気相成長(HVPE)法などを用いてバッファ層となる窒化物半導体膜2を成長させ、その上に窒化物半導体膜3を成長させる。オフ角度αをある程度大きくして、成長する薄膜の表面に多原子層高さのマクロステップが形成されるようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させて形成した窒化物半導体デバイスにおいて、基板が0.5°以上の微傾斜面を有する基板であることを特徴とする窒化物半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/00 , H01S 5/323

FI (6件)：

H01L21/20 , H01L21/203 M , H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/00 , H01S5/323 610

Fターム (31件)：

5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AD11 , 5F045AF04 , 5F045BB08 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA61 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103LL03 , 5F103PP14 , 5F103RR06 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AH47 , 5F173AP04 , 5F173AP05 , 5F173AP09 , 5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭56-059699
窒素-3族元素化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-293944 出願人：豊田合成株式会社
窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-278308 出願人：日亜化学工業株式会社

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