特許
J-GLOBAL ID：200903069342726700

窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法

発明者：
上田 吉裕

上田 吉裕 について

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湯浅 貴之

湯浅 貴之 について

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小河 淳

小河 淳 について

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津田 有三

津田 有三 について

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荒木 正浩

荒木 正浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 小池 隆彌 ,  田畑 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-054063
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261936
出願日： 2007年03月05日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】 C軸に対して僅かに傾斜させたサファイア基板を用いることにより、エピタキシャル成長した窒化物系化合物半導体結晶の品質を向上し、極めて平滑な表面状態を有する窒化物系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 <0001>方向より0.05°から0.2°傾斜させた鏡面研磨サファイア(0001)を基板201とする。傾斜角を0.05°から0.2°に保つことによりサファイア基板上のステップ202密度を最適に制御し、極めて平坦かつ欠陥密度を低減し、電気的光学的特性を向上した窒化物系化合物半導体素子が得られる。一般式InxGayAlzN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物を意味する窒化物系化合物半導体。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に、窒化物系化合物半導体を形成した窒化物系化合物半導体素子であって、 前記サファイア基板表面の結晶方位が<0001>方向より0.05°以上0.2°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
IPC (7件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/34
FI (7件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  C30B25/18 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34
Fターム (49件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA04 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ05 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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