特許
J-GLOBAL ID：200903020363464250

半導体装置の製造方法

発明者：
関山 有郎

関山 有郎 について


出願人/特許権者：
宮崎沖電気株式会社

宮崎沖電気株式会社 について

, 
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260268
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091310
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】半導体基板上に形成された酸化抑制層であるシリコンカーバイト層を除去する。【解決手段】コンタクトホールの表面などにドライエッチングによって形成されてしまうシリコンカーバイト層を、水素を含むガスのプラズマ処理によって除去する。水素含有量を80%以上、ガス流量を50SCCM以上、圧力を50mTorr以上とすることで、基板にダメージを与えることもなく、効果的にシリコンカーバイト層を除去することが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定部を炭素を含むガスによりエッチングし、コンタクトホールを形成する工程と、前記半導体基板を水素を含むガスによりプラズマ処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (28件)：
5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004AA08 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004BD05 ,  5F004BD07 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004EA11 ,  5F004EA12 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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