特許
J-GLOBAL ID：200903020366046255
炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186649
公開番号（公開出願番号）：特開2002-012500
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：
【要約】【課題】炭化珪素単結晶の成長時に単結晶の周辺に多結晶が析出することにより、単結晶内の多結晶との境界付近にマイクロパイプと呼ばれる結晶欠陥が多数発生したり、単結晶に歪みが入るという問題点を解決する。また、炭化珪素単結晶の成長方向に平行な貫通穴状のマイクロパイプが単結晶内に生成するという問題点を解決する。【解決手段】種結晶を、ルツボ内の低温部にルツボの内壁との間に空間を設けるようにして設置された基板上に保持する。
請求項（抜粋）：
ルツボ内に高温部と低温部とを設け、高温部で炭化珪素(SiC)の原料蒸気を生成し、低温部で該原料蒸気を種結晶の表面上に堆積させて炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記種結晶を、ルツボ内の低温部にルツボの内壁との間に空間を設けるようにして設置された基板上に保持し、炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Fターム (5件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA01
, 4G077ED04
, 4G077SA11
