特許

J-GLOBAL ID：200903020394206799

半導体装置

発明者： 上杉 勉 ,  上田 博之 ,  加地 徹 ,  杉本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-099473
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273856
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】オン抵抗が低く、容易にノーマリオフとなる半導体装置を実現すること。【解決手段】半導体装置は、n-GaN層11、n-GaN層11上にp-GaN層12とn-GaN層13、p-GaN層12上にn- -GaN層14、n-GaN層13上にn-GaN層21、で構成されている。n- -GaN層14の不純物濃度を低くすることで、ノーマリオフを容易にしている。また、n-GaN層13とn-GaN層21の不純物濃度を高くすることで、オン抵抗を低くしている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

縦型の半導体装置において、 第1伝導型の半導体で構成された第1層と、 前記第1層上の所定領域内に形成され、第1伝導型と反対の伝導型である第2伝導型の半導体で構成された第2層と、 前記第1層上であって、前記第2層が形成されていない領域に、前記第1層に接合して形成され、第1伝導型の半導体で構成された第3層と、 前記第2層および前記第3層上に、第1伝導型または真性の半導体で構成された第4層と、 前記第4層の上方であって、前記第2層の一部および前記第3層の上方を覆うように形成されたゲート電極と、を有し、 前記第4層の不純物濃度が、前記第1層および前記第3層の不純物濃度より低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/80 V ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658E

Fターム (9件)：

5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL15 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-003368   出願人：株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-326933   出願人：株式会社デンソー
• 短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタおよび短絡チャネルを有する炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-533381   出願人：クリーインコーポレイテッド
• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-003368   出願人：株式会社豊田中央研究所