特許
J-GLOBAL ID：200903020408549856
加速度センサ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160807
公開番号（公開出願番号）：特開平9-015257
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】反りがなく、歩留りの向上が図れる加速度センサ及びその製造方法を提供する。【構成】第1の半導体基板10の両主面にシリコン窒化膜13から成る緩衝層12を形成する。第1の半導体基板10の一方の主面に第2の半導体基板11を接合する。よって、第1及び第2の半導体基板10,11の間には緩衝層12が介在することになり、接合時の高温処理における内部応力が緩衝層12に緩和されて第1の半導体基板10の反りが低減される。これにより、接合工程における歩留りを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも重り部が形成される第1の半導体基板の一方の主面に第2の半導体基板を接合し、この第2の半導体基板に重り部を揺動自在に指示する梁部を形成して成る加速度センサであって、第1の半導体基板の両主面に内部応力緩衝用の緩衝層を形成したことを特徴とする加速度センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/12
, G01P 15/02
, H01L 29/84
G01P 15/12
, G01P 15/02 A
, H01L 29/84 A
