特許

J-GLOBAL ID：200903020454017303

酸化物の結晶成長方法、セリウム酸化物、プロメチウム酸化物、酸化物積層構造、電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ、強誘電体不揮発性メモリの製造方法および強誘電体不揮発性メモリ

発明者： 網 隆明 ,  石田 祐一 ,  長沢 直美 ,  鈴木 真之 ,  町田 暁夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027362
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344599
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 酸化セリウムなどの希土類酸化物を(001)面方位のシリコン基板上に(001)面方位でエピタキシャル成長させ、エピタキシャルな希土類酸化物(001)/シリコン(001)構造を実現する。【解決手段】 (001)面方位のSi基板1の表面を処理して2×1、1×2の表面再構成によるダイマー構造とし、このSi基板1上に立方晶系または正方晶系の希土類酸化物、例えばCeO2 膜2を(001)面方位に分子線エピタキシー法などによりエピタキシャル成長させる。この成長の際には、Si基板1の表面に酸化性ガスの供給を開始してから少なくとも一種以上の希土類元素を含む原料の供給を行う。成長後に真空中で熱処理を行うこともある。

請求項（抜粋）：

(001)面方位のシリコン基板の表面を2×1、1×2の表面再構成によるダイマー構造とする工程と、上記シリコン基板上に立方晶系または正方晶系の希土類酸化物を(001)面方位にエピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とする酸化物の結晶成長方法。

IPC (10件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 酸化物積層構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336158   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214728   出願人：旭化成工業株式会社, 垂井康夫
• 誘電体膜の形成方法およびその形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-171352   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

• 酸化物積層構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336158   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214728   出願人：旭化成工業株式会社, 垂井康夫
• 誘電体膜の形成方法およびその形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-171352   出願人：松下電器産業株式会社