不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-350232
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174149
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】電界緩和効果とリーク防止機能を確保しながら、制御ゲートと浮遊ゲートの間の大きな結合容量をも確保できるようにした層間絶縁膜を持つ不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】シリコン基板11と、基板11上にトンネル絶縁膜13を介して形成された浮遊ゲート14と、この浮遊ゲート14上に層間絶縁膜15を介して形成された制御ゲート16を有するメモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置において、層間絶縁膜15は、浮遊ゲート14に接するシリコン酸化膜15aと、このシリコン酸化膜15a上にLPCVD法により形成された第1のシリコン窒化膜15bと、この第1のシリコン窒化膜15b上にJVD法により形成された第1のシリコン窒化膜15bよりトラップ密度の低い第2のシリコン窒化膜15cとから構成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、この浮遊ゲート上に層間絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを有するメモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置において、前記層間絶縁膜は、前記浮遊ゲートに接するシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜上に減圧CVD法により形成された第1のシリコン窒化膜と、この第1のシリコン窒化膜上に形成された第1のシリコン窒化膜よりトラップ密度の低い第2のシリコン窒化膜とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (20件)：

5F001AA23 , 5F001AA43 , 5F001AA63 , 5F001AB08 , 5F001AD12 , 5F001AD62 , 5F001AF25 , 5F001AG03 , 5F001AG21 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP53 , 5F083EP54 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083GA06 , 5F083GA19 , 5F083JA04 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-095562
特開昭61-229368
特開平1-125982

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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