半導体レーザ装置及びそれを用いた光通信装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324226
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144379
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】長波長領域で発振し、閾値電流が小さく高効率な半導体レーザ装置及びそれを用いた光通信装置を提供すること。【解決手段】活性層を複数のGaInNAs量子ドットで構成する。特に、Inの組成を0.4以上で1以下とし、Nの組成を0.01以上で0.2以下とすることが望ましい。

請求項（抜粋）：

光を発する活性層を有する共振器構造を基板上に備えた半導体レーザ装置であって、当該活性層は、複数のGaInNAsの量子ドットを有してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (12件)：

5F073AA04 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA75 , 5F073AB02 , 5F073BA02 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073DA06 , 5F073EA29 , 5F073GA23 , 5F073HA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

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