特許

J-GLOBAL ID：200903020536607877

半導体装置及びその製造方法

発明者： 若 宮 幹 夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271175
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093903
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電極界面側の窒素濃度を高くするようにすることで、窒素濃度や濃度分布を制御可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に熱酸化膜2を形成し、この熱酸化膜2の上に更に、シリコン膜3を形成し、続いて予め定められた温度および圧力下で、NOおよびN2 Oのガス雰囲気中で、シリコン膜3を酸化して、その上に、窒素酸化膜4を形成し、次に、NO、N2OおよびO2のガス雰囲気中で、シリコン膜3を 酸化し、シリコン基板1上の膜を全て窒素酸化膜とし、その後、窒素酸化膜の上にシリコン膜5を堆積し、ゲート電極の加工、ソースおよびドレインの形成を行う工程において、温度や圧力を制御することにより、窒素濃度や濃度分布を制御する。

請求項（抜粋）：

トランジスタのゲート酸化膜を窒素酸化膜によって構成し、この窒素酸化膜においては、電極側に窒素濃度のピーク値が存するように設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (33件)：

5F001AA70 ,  5F001AB02 ,  5F001AG21 ,  5F001AG23 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF52 ,  5F058BF55 ,  5F058BF59 ,  5F058BF60 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BF72 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083ER03 ,  5F083ER07 ,  5F083ER09 ,  5F083ER22 ,  5F083JA05 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21 ,  5F101BA43 ,  5F101BB02 ,  5F101BH02 ,  5F101BH06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-117027   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-043369   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-029505   出願人：富士通株式会社