特許
J-GLOBAL ID：200903020543394790

高出力フリップチップ発光ダイオード

発明者：
朴 英 豪

朴 英 豪 について

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咸 憲 柱

咸 憲 柱 について

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柳 承 珍

柳 承 珍 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-148795
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183909
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】高出力フリップチップ発光ダイオードを開示する。【解決手段】上記発光ダイオードにおいて、長方形サファイア基板の表面にn型半導体層が形成され、上記n型半導体層は複数の長方形の第1領域と該第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有する。上記n型半導体層の第2領域上には複数のp型半導体層が形成されメサ構造を夫々成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する。上記メサ構造上には複数の第1金属層がこれと同じ平面形状で夫々形成される。上記第2領域上には第2金属層が形成される。上記第1金属層上には複数の第1電気接続部が夫々形成される。上記第1盆地に該当する上記第2金属層に複数の第2電気接続部が夫々形成される。本発明は電流集中現象を克服し全発光領域において均一な電流密度を有するようにさせながら広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
長方形サファイア基板と、 複数の長方形の第1領域とこれら第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有し、上記サファイア基板の表面に形成されたn型半導体層と、 上記n型半導体層の第2領域上に夫々形成され夫々メサ構造を形成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入され第1盆地を形成する複数のp型半導体層と、 上記メサ構造上にこれと同じ平面形状で夫々形成された複数の第1金属層と、 上記第2領域上に形成された第2金属層と、 上記第1金属層上に夫々形成された複数の第1電気接続部と、 上記第1盆地に位置する上記第2金属層に夫々形成された複数の第2電気接続部と、 を含むことを特徴とする高出力フリップチップ発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (13件)：
5F041AA05 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA94 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041FF01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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