特許
J-GLOBAL ID：200903020624110052

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
森山 博文

森山 博文 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-324844
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133305
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 基板全体で均一な膜を形成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 誘電体膜等の塗布膜が形成されたウエハWを加湿雰囲気で熱処理する加湿熱処理ユニット(HAC)15は、ウエハWを加熱するホットプレート31と、処理室90を形成し、複数の制御ブロック91a〜91hに区分けされ、制御ブロック91a〜91h毎に処理室90へ加湿ガスを供給するガス供給口81aおよび処理室90内のガスを外部へ排気する排気口81bが設けられたチャンバ70と、処理室90に対する加湿ガスの給排気を制御する制御部75とを具備する。加湿ガスの給排気を制御部75によって制御ブロック91a〜91h毎に制御することで処理室90の雰囲気を均一とし、膜厚分布の少ない誘電体膜を得る。
請求項（抜粋）：
基板を略水平に保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に所定の処理を施す処理室を形成するチャンバと、前記チャンバの上面に設けられたガス供給口と、前記ガス供給口を通して所定の蒸気を含むガスを前記処理室へ給気するガス導入手段と、前記処理室の内部において前記保持手段に保持された基板の上方に設けられ、前記ガス供給口から前記処理室内に給気されたガスが前記基板の表面にほぼ均一に給気されるように複数のガス吹き出し口が所定位置に設けられた拡散板と、前記処理室に給気されたガスを前記処理室の底部から排気する排気手段と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/312 Z
Fターム (7件)：
5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BG02 ,  5F058BH02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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