磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179405
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023015
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】各記憶素子間の反転磁界のばらつきおよびアステロイドのずれを抑制し、これにより各記憶素子への選択記録のマージンを大きく確保する。【解決手段】少なくとも二つの強磁性領域24,25,26,28とこれらに挟まれた非磁性層27とからなる積層構造を有し、一方の強磁性領域24,25,26の磁化方向が固定され、他方の強磁性領域28の磁化方向が外部磁界に応じて反転するように構成された磁気抵抗効果素子において、前記非磁性層27の前に成膜される強磁性領域26を、二種以上の異なる強磁性材料の積層体26a,26bからなるものとする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

少なくとも二つの強磁性領域とこれらに挟まれた非磁性層とからなる積層構造を有し、一方の強磁性領域の磁化方向が固定され、他方の強磁性領域の磁化方向が外部磁界に応じて反転するように構成された磁気抵抗効果素子において、前記非磁性層の前に成膜される強磁性領域は、二種以上の異なる強磁性材料の積層体からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L43/08 , H01L27/105 , H01L43/10 , H01L43/12

FI (5件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083LA12 , 5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-182152 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-142527 出願人：日本電気株式会社
リードヘッド素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-031331 出願人：富士通株式会社

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