特許

J-GLOBAL ID：200903062802072105

磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム

発明者： 林 一彦 ,  大橋 啓之 ,  石綿 延行 ,  中田 正文 ,  深見 栄三 ,  永原 聖万 ,  本庄 弘明 ,  藤方 潤一 ,  石原 邦彦 ,  森 茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-142527
公開番号（公開出願番号）：特開2001-325704
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 従来構造と比較して再生出力、S/N、及びビットエラーレートの値が良好な磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。【解決手段】 フリー層3とフリー層3上に形成されたバリア層4とバリア層4上に形成された固定層5の組合わせを基本構成とする磁気抵抗効果膜20を用いた、センス電流が当該磁気抵抗効果膜に対し略垂直に流れるタイプのシールド型磁気抵抗効果素子25が使用され、且つ下シールド1にアモルファス材料もしくは微結晶材料が使用されている磁気抵抗効果センサ30が示されている。

請求項（抜粋）：

フリー層とフリー層上に形成されたバリア層とバリア層上に形成された固定層の組合わせ、或いは、固定層と固定層上に形成されたバリア層とバリア層上に形成されたフリー層の組み合わせ、を基本構成とする磁気抵抗効果膜を用いた、センス電流が当該磁気抵抗効果膜に対し略垂直に流れるタイプのシールド型磁気抵抗効果素子が使用され、且つ下シールドにアモルファス材料もしくは微結晶材料が使用されていることを特徴とする磁気抵抗効果センサ。

IPC (7件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (7件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/02 W ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (21件)：

2G017AA04 ,  2G017AB07 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BA16 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034BB20 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049DB02 ,  5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-173695   出願人：住友金属工業株式会社
• 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-264464   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-319255   出願人：三洋電機株式会社