不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211520
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025282
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリのような電気的に書込み、消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、偶発的な書込みエラーにより有効な記憶容量が減少するのを防止できるようにする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置チップ内部のステータスレジスタ(32)に、チップの外部からアクセスが可能か否かを示すビット(B7)や、書込みが正常に終了したか否かを示すビット(B4)と共に、再度書込みを実行することで正常に書込みが行なえる可能性があるか否かを示すビット(B6)を設けるようにした。

請求項（抜粋）：

選択されたメモリセルに所定の電圧を印加することでしきい値を変化させしきい値の相違により情報を記憶する複数のメモリセルと、チップの内部状態を示すステータスレジスタと、を備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記ステータスレジスタは、チップの外部からアクセスが可能か否かを示す第1のビットと、書込みが正常に終了したか否かを示す第2のビットと、再度書込みを実行することで正常に書込みが行なえる可能性があるか否かを示す第3のビットとを有し、これらのビットの状態はチップの外部端子へ出力可能に構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (4件)：

G11C 17/00 601 E , G11C 17/00 611 Z , G11C 17/00 612 A , G11C 17/00 641

Fターム (8件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AD16 , 5B025AE00

引用特許：

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-268412 出願人：株式会社東芝
半導体装置、メモリカード及びデータ処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-032776 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置、データ処理システム及び不揮発性メモリセルの閾値変更方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-152610 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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