特許
J-GLOBAL ID：200903098609791271

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
今宮 賢一

今宮 賢一 について

, 
杉浦 義久

杉浦 義久 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268412
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100178
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】ユーザが過剰書き込み及び誤書き込みの発生を外部からモニタし、これに対応することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置は過剰書き込みや誤書き込みによるメモリセルのしきい値の異常を検出する手段を備え、またこれらのしきい値の異常を外部に読み出しモニターすることができる読み出し回路を具備する。これを用いてメモリデータの書き込み時に生じたメモリセルのしきい値の異常を検出し、前記しきい値異常セルを含む同一ワード線に接続された全てのメモリセルを一括消去する等の方法により、ユーザはメモリデータの破壊に対応することができる。前記一括消去に際して、異常なしきい値変化をする可能性のないメモリセル部分のメモリデータを前記検出手段を用いて一時退避させ、一括消去後これを前記メモリセル部分に再書き込みすることが可能になる。
請求項（抜粋）：
しきい値の変化により情報を記憶するメモリセルと、このメモリセルの過大なしきい値変化を検出する検出手段と、この検出手段により検出された結果を記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された記憶状態を外部に読み出す回路と、を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
G11C 17/00 611 F ,  G11C 17/00 601 P ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (29件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC03 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08 ,  5B025AE09 ,  5F001AA25 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AD12 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083GA15 ,  5F083GA21 ,  5F083GA30 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
引用特許：
審査官引用 (6件)
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