量子閉じ込め構造を有する素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067832
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269442
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】電子のスピンを記憶し保持する機能を有する量子閉じ込め構造を有する素子を実現する。【解決手段】 (110)面方位の半導体基板1上に量子井戸構造2を形成することによって、DP効果が抑制され、電子のスピン方向の保持時間が数ナノ秒まで長くなる。

請求項（抜粋）：

スピン方向を保持する面方位の半導体基板上に量子閉じ込め構造を形成したことを特徴とする量子閉じ込め構造を有する素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 , G02B 5/30 , G11C 11/16 , H01L 29/66

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , G02B 5/30 , G11C 11/16 , H01L 29/66

Fターム (6件)：

2H049BA02 , 2H049BB03 , 2H049BC21 , 5F083FZ01 , 5F083HA06 , 5F083HA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

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