特許
J-GLOBAL ID:200903020688519710

モールドトランスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-234850
公開番号(公開出願番号):特開平10-079313
出願日: 1996年09月05日
公開日(公表日): 1998年03月24日
要約:
【要約】【課題】 ボビンの貫通孔内から露出した閉磁路磁芯部分に機械的応力を生じにくくし、インダクタンス等の特性を向上させたモールドトランスを提供することを目的としている。【解決手段】 モールド外装部5は、流動絶縁樹脂を固化させて形成しており、第1の磁芯7と第2の磁芯8との突き合わせ面12側の本体側面上に、モールド外装部5を被覆して形成した側面モールド外装部13と、モールド外装部5で被覆しない非側面モールド外装部14を設けた構成である。
請求項(抜粋):
貫通孔を有するボビンと、前記ボビンに巻装する巻線と、前記巻線に接続するとともに、前記ボビンに植設した端子と、前記ボビンの貫通孔に挿入するとともに、第1の磁芯と第2の磁芯とを突き合わせて閉磁路を形成する閉磁路磁芯とを有した本体と、前記端子の一部を突出させるとともに、前記本体を被覆するモールド外装部とを備え、前記モールド外装部は、流動絶縁樹脂を固化させて形成しており、前記第1の磁芯と前記第2の磁芯との突き合わせ面側の前記本体側面上に、モールド外装部を被覆した側面モールド外装部と、モールド外装部を被覆しない非側面モールド外装部を設けたモールドトランス。
IPC (2件):
H01F 27/32 ,  H01F 41/12
FI (2件):
H01F 27/32 A ,  H01F 41/12 C
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • モールドトランス
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-051802   出願人:松下電器産業株式会社
  • モールドコイル部品
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-218649   出願人:松下電器産業株式会社
  • モールドトランス
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-080484   出願人:松下電器産業株式会社

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