特許
J-GLOBAL ID：200903071030224671
半導体膜の成形方法及び半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小塚 敏紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222098
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067758
出願日： 1997年08月19日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 結晶欠陥が少なく、膜質が均一で、表面荒れの小さい半導体膜を成形することができる半導体膜の成形方法、及びそのような半導体膜を有する半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に多結晶シリコン膜2を形成し、酸素を主成分とする雰囲気下で多結晶シリコン膜2の表面層に緻密な酸化膜7を生成する工程と、水蒸気を主成分とする雰囲気下で多結晶シリコン膜2の酸化を促進する酸化促進工程と、を有するものである。
請求項（抜粋）：
表面に多結晶シリコン膜を形成した絶縁性基板に半導体膜を成形する方法であって、酸素を主成分とする雰囲気下で前記多結晶シリコン膜の表面層に緻密な酸化膜を生成する工程を有することを特徴とする半導体膜の成形方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/316 S
, H01L 21/20
, H01L 29/78 617 V
