基板処理システムのガス流量制御

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559583
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520847
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】基板処理システムには、プロセスチャンバに隣接した排気可能なチャンバ、背中合わせのプロセスチャンバまたは排気可能なチャンバとプロセスチャンバとの他の組合せが含まれてよい。処理システムには、隣接するチャンバ間に配置されたさまざまな遮断弁と共にガス流量弁および真空弁が含まれる。部分的に、さまざまな遮断弁が開位置または密封位置のどちらにあるかに応じて、さまざまなガス流量弁と真空弁のそれぞれの位置をコントローラが制御する。弁の位置を制御することにより、異なるチャンバとの間でガスの流入および流出が制御可能となることで、例えば、スループットを最大にし、効率を高め、チャンバ間の汚染の可能性を低減することができる。

請求項（抜粋）：

基板処理システムであって、開閉可能なドアを有する排気可能なチャンバと、前記排気可能なチャンバに隣接して設けられた第1のプロセスチャンバと、開位置と密閉位置とを有し、前記排気可能なチャンバと前記第1のプロセスチャンバ間に設けられた遮断弁と、第1のガス供給部と、前記第1のガス供給部を前記排気可能なチャンバに接続し、開位置と閉位置とを有するガス流量弁をそれぞれが含む少なくとも1つのガス流路と、前記排気可能なチャンバと前記第1のプロセスチャンバにそれぞれ接続され、開位置と閉位置とを有する真空弁をそれぞれが含む真空ラインと、ガス流量弁と真空弁のそれぞれの位置を制御するためのコントローラとを備え、ドアが開かれ、遮断弁が密閉位置にあるとき、前記第1のガス供給部から前記排気可能なチャンバ内にガスを流入させ、ドアを介して前記排気可能なチャンバから流出させるように、前記コントローラがガス流量弁と真空弁とを制御し、ドアが閉じられ、遮断弁が開かれているとき、前記第1のガス供給部から前記排気可能なチャンバ内にガスを流入させ、さらに前記排気可能なチャンバから前記第1のプロセスチャンバに流入させて、前記第1のプロセスチャンバに接続された真空ラインを介して前記プロセスチャンバから流出させるように、前記コントローラがガス流量弁と真空弁とを制御する基板処理システム。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01L 21/302 B

Fターム (30件)：

4K030CA12 , 4K030GA12 , 4K030JA05 , 4K030KA11 , 4K030KA26 , 4K030KA41 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004DA23 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045DP23 , 5F045DQ15 , 5F045EB08 , 5F045EB09 , 5F045EB12 , 5F045EC07 , 5F045EE02 , 5F045EE07 , 5F045EE14 , 5F045EG02 , 5F045EJ02 , 5F045EK13 , 5F045EN04 , 5F045GB15 , 5F045HA25

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭62-030882
真空装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275370 出願人：東京エレクトロン株式会社
精密研磨装置および精密研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132863 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (6件)

真空装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275370 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開昭62-030882
精密研磨装置および精密研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132863 出願人：キヤノン株式会社

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