特許

J-GLOBAL ID：200903020759802078

半導体装置

発明者： 渡辺 充 ,  福井 哲也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365655
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173437
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】 半田接合による特性劣化がない半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、半導体素子チップと、その上下端子電極がそれぞれ半田材により接合された上下導体フレームとを有し、前記半導体素子チップは、第1導電型の半導体層と、前記半導体層に選択的に形成された第2導電型拡散層と、 前記半導体層の前記第2導電型拡散層の外側に形成された第2導電型の複数のガードリング層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に埋設された多結晶シリコン膜により形成されたフィールドプレートとを有する。 【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体素子チップと、その上下端子電極がそれぞれ半田材により接合された上下導体フレームとを有する半導体装置において、 前記半導体素子チップは、 第1導電型の半導体層と、 前記半導体層に選択的に形成された第2導電型拡散層と、 前記半導体層の前記第2導電型拡散層の外側に形成された第2導電型の複数のガードリング層と、 前記半導体層上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜に埋設された多結晶シリコン膜により形成されたフィールドプレートとを有する ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-265157   出願人：沖電気工業株式会社
• ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-172662   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-295883   出願人：三洋電機株式会社
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-211155   出願人：株式会社東芝