特許
J-GLOBAL ID：200903049544255660

半導体装置

発明者：
石切山 衛

石切山 衛 について

, 
佐々木 克仁

佐々木 克仁 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265157
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094122
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト付近の配線における耐圧を向上させた半導体装置を提供する。【構成】 基板の上面から見た平面方向に配線層が延在する方向を第1の方向とし、平面上で第1の方向に直交する方向を第2の方向とし、開孔部に最も近い導電材料層の曲率半径をRとし、導電材料層と配線層の端部が交差する点をXとし、点Xから第2の方向に沿って伸ばした直線が導電材料層の曲率半径Rの円の中心を通って第1の方向に沿って延びている直線と交差する点をYとし、第2の方向に関しての点Xと点Yの距離をAとした時に、COS-1(A/R)>46なる関係が成立する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板表面に形成された第2導電型の不純物拡散領域と、前記第2導電型の不純物拡散領域と所定の間隔を置いて、前記半導体基板の表面に該基板の不純物濃度よりも高濃度に形成された第1導電型の不純物拡散領域と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第2導電型の不純物拡散領域と第1導電型の不純物拡散領域との間の半導体基板あるいは前記第1導電型の不純物拡散領域の上方の前記第1の絶縁膜上に形成され、基板の上面から見た平面方向に所定の曲率半径を有している導電材料層と、前記導電材料層および第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2導電型の不純物拡散領域の上方の前記第1、第2の絶縁膜に形成された開孔部と、前記開孔部および第2の絶縁膜上に形成された配線層とを有する半導体装置であって、基板の上面から見た平面方向に前記配線層が延在する方向を第1の方向とし、該平面上で第1の方向に直交する方向を第2の方向とし、前記開孔部に最も近い前記導電材料層の曲率半径をRとし、前記導電材料層と前記配線層の端部が該平面上で交差する点をXとし、前記点Xから第2の方向に沿って伸ばした直線が前記導電材料層の曲率半径Rの円の中心を通って第1の方向に沿って延びている直線と交差する点をYとし、前記第2の方向に関しての点Xと点Yの距離をAとし、COS-1(A/R)>46なる関係が成立することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41
FI (4件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/44 F ,  H01L 29/44 E
Fターム (7件)：
4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104FF34 ,  4M104GG02 ,  4M104HH18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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