特許
J-GLOBAL ID：200903020783830384

アクティブマトリクス表示装置

発明者：
鈴木 信明

鈴木 信明 について

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藤野 昌宏

藤野 昌宏 について

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九鬼 みどり

九鬼 みどり について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199015
公開番号（公開出願番号）：特開平9-026602
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 ボトムゲート型の薄膜トランジスタを集積形成したアクティブマトリクス表示装置に設けられる信号配線の電気抵抗及び信頼性を改善する。【解決手段】 アクティブマトリクス表示装置は所定の間隙を介して接合した駆動基板1及び対向基板2を備えており、両者の間隙には液晶3が保持されている。駆動基板1には薄膜トランジスタ4、画素電極5及び信号配線6が集積形成されている。対向基板2には対向電極7が形成されている。薄膜トランジスタ4はボトムゲート構造を有しており、駆動基板1にパタニング形成されたゲート電極Gと、ゲート電極Gを被覆するゲート絶縁膜9,10とゲート絶縁膜9,10の上にパタニング形成された半導体薄膜11とを備えている。信号配線6は下側金属層13と上側金属層14を重ねた積層構造を有している。下側金属層13はアルミニウムからなり、電気抵抗が比較的低く且つ物理的強度が比較的小さい。上側金属層14はモリブデンからなり下側金属層13を被覆するとともに電気抵抗が比較的高く且つ物理的強度が比較的大きい。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタ、画素電極及び信号配線が集積形成された駆動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該駆動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたアクティブマトリクス表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、該駆動基板にパタニング形成されたゲート電極と、該ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上にパタニング形成された半導体薄膜とを備えたボトムゲート構造を有し、前記信号配線は、該半導体薄膜に接続するとともに電気抵抗が比較的低く且つ物理的強度が比較的小さい下側金属層と、該下側金属層を被覆するとともに電気抵抗が比較的高く且つ物理的強度が比較的大きい上側金属層を重ねた積層構造を有することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 W
引用特許：
審査官引用 (4件)
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