非揮発性メモリ素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中川裕幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-339029
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166813
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】高誘電体膜の電気的な特性を向上させる事ができる非揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】フローティングゲート104とコントロールゲート122間誘電体120として、酸化膜108,116の間に高誘電絶縁膜112を含む高誘電体膜を形成し、高誘電絶縁膜の上部及び下部、またはフローティングゲートの上部及びコントロールゲートの下部に窒素含有絶縁膜106,110,114,118を形成することにより、酸化膜と高誘電絶縁膜との間、または酸化膜とフローティングゲートまたはコントロールゲートとの間の界面反応を抑制し、高誘電体膜の誘電率、漏洩電流、絶縁破壊電圧及び電荷保存特性などの電気的な特性を向上させ、高性能及び高信頼性の高誘電体膜を製造することができる。【選択図】図1i

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜; 上記トンネル絶縁膜上に形成されたフローティングゲート; 上記フローティングゲート上に形成された第1窒素含有絶縁膜; 上記第1窒素含有絶縁膜上に形成された第1の絶縁膜; 上記第1の絶縁膜上に形成された高誘電絶縁膜; 上記高誘電絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜; 上記第2の絶縁膜上に形成された第2窒素含有絶縁膜;及び上記第2窒素含有絶縁膜上に形成されたコントロールゲートを含む非揮発性メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L21/316 M

Fターム (41件)：

5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF04 , 5F058BF37 , 5F058BF52 , 5F058BF74 , 5F058BJ01 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP53 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083GA06 , 5F083GA22 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F101BA22 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BH02 , 5F101BH05

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-350232 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122040 出願人：日本電気株式会社
特開平4-334067

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