特許
J-GLOBAL ID：200903020847785108
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-137174
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322666
出願日： 2004年05月06日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】MEMS素子などの微細な構造体から構成された異なる形態の素子をモノリシックに搭載した半導体装置を提供する。【解決手段】集積回路160を備えた半導体基板101と、半導体基板101の上に配置された共振子112,インダクタ素子113,可変容量素子114,スイッチ素子115と、これらを覆うように半導体基板101の上に配置された容器120とから構成され、共振子112,可変容量素子114,スイッチ素子115は、支持部の上に支持された可動する可動ビームを備えるマイクロマシーン(受動素子)である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成されて前記半導体基板の面に対向する天井壁とこの天井壁を前記半導体基板の上に支持する側壁とを備えた容器と、
前記天井壁の上面に形成された第1素子と、
前記容器の内部の前記半導体基板の上に形成された第2素子と
を少なくとも備え、
前記第2素子は前記容器の内部に封止されている
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L21/822
, B81B3/00
, B81B7/02
, H01L27/04
H01L27/04 L
, B81B3/00
, B81B7/02
5F038AC05
, 5F038AC20
, 5F038AZ04
, 5F038CA16
, 5F038EZ11
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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フィルタ回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-283791
出願人：ソニー株式会社
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高感湿性電子デバイス要素
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-275311
出願人：イーストマンコダックカンパニー
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