特許
J-GLOBAL ID：200903020867678898
有機EL素子の表示パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254610
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076870
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 簡単な工程によって様々な表示パターンを形成することができる有機EL素子の表示パターン形成方法を提供する。【解決手段】 透明基板上1に陽極23及び発光層221を順次積層した後、又は更に陰極を積層した後に、発光層221の所定部分に高エネルギー線(1keV以上の電子線等)を照射し、当該部分の発光を失活させて発光失活部221bを形成する。発光層221のうち高エネルギー線が照射されなかった発光活性部221aであって且つ陽極23と陰極との間に位置する部分により、外円パターン61の内側に内円パターン62が独立して位置する二重丸形状の表示パターン6が形成される。
請求項（抜粋）：
発光層の所定部分に高エネルギー線を照射して当該部分の発光を失活させることを特徴とする有機EL素子の表示パターン形成方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/14
H05B 33/10
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
3K007AB18
, 3K007BB01
, 3K007CA01
, 3K007CA02
, 3K007CA05
, 3K007CA06
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA00
, 3K007FA01
, 3K007FA02
