特許
J-GLOBAL ID：200903020881414089

レーザ加工方法

発明者：
福世 文嗣

福世 文嗣 について

, 
福満 憲志

福満 憲志 について

, 
内山 直己

内山 直己 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  城戸 博兒 ,  柴山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069929
公開番号（公開出願番号）：特開2006-175520
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、半導体基板1の切断予定ラインに沿って延在し、且つ一端及び他端が半導体基板1の外縁に到達しない改質領域による切断起点領域9a,9bを半導体基板1の内部に形成し、改質領域による切断起点領域9a,9bを切断の起点として半導体基板1を切断予定ラインに沿って切断する。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記半導体基板の切断予定ラインに沿って延在し、且つ一端及び他端が前記半導体基板の外縁に到達しない改質領域を前記半導体基板の内部に形成し、前記改質領域を切断の起点として前記半導体基板を前記切断予定ラインに沿って切断することを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (6件)：
B23K 26/38 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/06 ,  H01L 21/301 ,  H05K 3/00
FI (7件)：
B23K26/38 320 ,  B23K26/00 D ,  B23K26/40 ,  B23K26/06 A ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 V ,  H05K3/00 N
Fターム (5件)：
4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CD01 ,  4E068CE01 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
  • 特許第3722731号
  • レーザ加工装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278707   出願人：浜松ホトニクス株式会社
  • 特許第3761565号
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