特許
J-GLOBAL ID：200903021027715276

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法

発明者：
牛田 正男

牛田 正男 について

, 
坂本 稔

坂本 稔 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (3件)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-360171
公開番号（公開出願番号）：特開2005-092241
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 ハーフトーン型位相シフトマスクにおける露光波長、レジスト描画波長、及び検査波長等の推移に伴う再設計を適切かつ迅速に行えるようにするべく、遮光膜の反射率波長依存性を容易にかつ正確に調整できる技術を提供する。【解決手段】 透明基板1上に、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜2と、この半透光膜2上に形成された遮光膜3とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける遮光膜3の反射率波長依存性の調整方法であって、遮光膜3の最上層部分を、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有してなる反射率調整部3aとし、この反射率調整部3aにおける窒素の含有率によって、遮光膜3全体としての反射率波長依存性を調整する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜と、 この半透光膜の上に形成されたクロムを含有する遮光膜と、 を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、 前記遮光膜の最上層部分が、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有してなる反射率調整部とされ、 この反射率調整部を含めた前期遮光膜全体の厚さが、60ナノメートル以下とされてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F1/08 K ,  H01L21/30 502P
Fターム (4件)：
2H095BB03 ,  2H095BC05 ,  2H095BC11 ,  2H095BC24
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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