特許
J-GLOBAL ID：200903021072185830
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174366
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008009
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ密度の均一性を確保しつつしかもプラズマの拡散を抑制して高いプラズマ密度を確保できるプラズマ処理装置を得る。【構成】 処理容器3内にサセプタ6と上部電極32とを対向して設け、サセプタ6には第1の高周波電源41から相対的に低い周波数の高周波電力を印加し、上部電極32には第2の高周波電源44から相対的に高い周波数の高周波電力を印加する。処理容器3の外周上下に、相互に逆極性磁場を形成する二重コイル構成のコイル51、52を配置する。略紡錘状の磁界の壁によって、処理容器3内のプラズマは閉じこめられ、プラズマ密度は上昇する。ウエハ上では殆ど無磁場であるから、プラズマ密度の均一性は良好である。
請求項（抜粋）：
2つの電極を処理容器内に対向配置し、この処理容器内にプラズマを発生させて、前記電極のうちの一方の電極上の被処理体に対して処理を施す処理装置であって、前記一方の電極は相対的に低い周波数の高周波電力を出力する第1の高周波電源と接続され、他方の電極は相対的に高い周波数の高周波電力を出力する第2の高周波電源と接続され、さらに前記処理容器の外部には、前記処理容器内のプラズマを閉じこめる磁界壁を形成する磁界発生手段が配置されたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
