特許
J-GLOBAL ID：200903093048538596
3族窒化物半導体平面発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248839
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088407
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】青、緑、赤の3原色発光の平面発光素子を得ること【構成】膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のSiドープのGaN から成るn層11、膜厚約0.5 μm、Znが濃度 1×1018/cm3で、Siが濃度 1×1018/cm3でドープされたIn0.08Ga0.92N から成る発光層12、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープのGaN から成るp層13とで第1発光部Aが形成。n層21、Zn濃度 5×1019/cm3、Si濃度 5×1019/cm3のIn0.08Ga0.92N から成る発光層22、p層23とで第2発光部Bが形成。n層31、Zn濃度 5×1019/cm3のIn0.08Ga0.92N から成る発光層32、p層33とで第3発光部Cが形成。電極81、71、82、72、83、73と、溝61,62,63,64、91,92,93が形成。第1発光部A、第2発光部B、第3発光部Cで、それぞれ、青、緑、赤の発光が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を多層形成した平面発光素子において、n伝導型を示すn層と、p伝導型を示すp層と、その間に介在する発光層が、狭いバンドギャップの半導体を広いバンドギャップの半導体で挟んだ構造のダブルヘテロ接合で形成された3層構造の基板上に形成された第1発光部と、前記第1発光部上に形成され、前記第1発光部と同様な構成の第2発光部と、前記第2発光部上に形成され、前記第1発光部と同様な構成の第3発光部と、前記各発光部の表面層以外の内部に存在する各n層及び各p層に到る溝を形成してその溝を介して前記各n層、前記各p層に接合して電極、及び表面層に接合した電極と、前記各発光部間を絶縁分離する素子間分離溝と、前記各発光部の前記n層に対する電極と前記p層に対する電極とが前記発光層を介さずに短絡することを防止する電極間分離溝とを有し、前記各発光部の前記各発光層は、アクセプタ不純物又はドナー不純物の濃度を適正に設定することにより、各発光部から、それぞれ、青色、赤色、緑色の3原色を発光させることを特徴とする平面発光素子。
引用特許：
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