特許

J-GLOBAL ID：200903021225054420

不揮発性メモリ装置及びその製造方法

発明者： 權基皓 ,  張東洙
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148243
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056161
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】側壁にストリンガ-の形成されない抵抗層を有する不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】抵抗層の抵抗を一定に保つために抵抗層上に形成されるキャッピング層を抵抗層より大きく又は同一の大きさに形成することによって、抵抗層の側壁にストリンガ-が発生することを抑制する。

請求項（抜粋）：

メモリセル領域内に形成され、第1導電層からなるフロ-ティングゲ-トと、前記フロ-ティングゲ-ト上に形成された第1層間絶縁層と、前記第1層間絶縁層上に形成され第2導電層からなるコントロ-ルゲ-トとを具備する不揮発性メモリセルのゲ-トと、周辺回路領域内に形成された第1導電層からなる抵抗層と、前記抵抗層上に第1層間絶縁層を介して配された第2導電層からなるキャッピング層とを具備し、前記キャッピング層は前記抵抗層の端部を覆うように広がり、前記キャッピング層には第1コンタクトホ-ルが形成されていることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-306666
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-299440   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-086285   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-325299   出願人：三菱電機株式会社