特許
J-GLOBAL ID：200903021234029439
変調器と変調器付き半導体レーザ装置並びにその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265144
公開番号（公開出願番号）：特開2001-091913
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 不要な容量を少なくし遮断周波数を高めることにより、周波数特性の改善された変調器および変調器付き半導体レーザ装置並びにこれらを容易に製造できる製造方法を提供することである。【解決手段】 変調器電極3aと引出電極4aとを接続する配線層6が変調器メサ部3から延在するFeドープInP層の第1埋込層22とSiO2膜32とを介して半導体基板12の一主面上に配設されたので、配線層6の容量が第1埋込層22を設けた分だけ小さくなり、変調器2の遮断周波数が高くなり、周波数特性のよい変調器2を構成できる。また変調器付き半導体レーザ装置を構成することができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の一主面上に配設されるとともに、光吸収層を含みリッジ状に延長された光導波路、この光導波路の両側に配設され基板側から順次積層された第1の半絶縁性半導体層と第1導電型の第1の半導体層とを有する電流ブロック層、及び上記光導波路の頂面に対向した開口を有する絶縁体膜を介して上記光導波路上に配設された第1の電極膜、を有する変調器部と、この変調器部と溝部を介して離隔され上記半導体基板の一主面上に配設された基台部とこの基台部上に配設された第2の電極膜とを有する電極パッドと、上記変調器部から延在する第1の半絶縁性半導体層と上記絶縁体膜とを介して上記半導体基板の一主面上に配設されるとともに、上記第1の電極膜と第2の電極膜とを接続した配線層と、を備えた変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EA07
, 2H079EA08
, 2H079HA14
, 2H079HA15
, 2H079KA18
, 5F073AA22
, 5F073AA64
, 5F073AB21
, 5F073CA12
, 5F073EA14
