特許
J-GLOBAL ID：200903088207207853

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
松本 啓資

松本 啓資 について

, 
石村 栄太郎

石村 栄太郎 について

, 
高木 和久

高木 和久 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145207
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335751
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザと外部変調器と間の分離抵抗を向上させるためのデバイス構造を備えた半導体レーザ装置およびその製法を提供する。【解決手段】 半導体レーザを動作させた際に発生するレーザ発振に寄与しない無効電流を抑制するホールトラップ層を分離させた。この分離は、半導体レーザ形成領域と光変調器形成領域との間で行った。当該構造を形成するために、ホールトラップ層の一部をエッチング処理するようにした。また、ホールトラップ層を選択成長させるようにした。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に、レーザ光を放射する半導体レーザと、この半導体レーザから放射されたレーザ光を変調する光変調器とが形成されている半導体レーザ装置であって、上記半導体レーザを動作させた際に発生するレーザ発振に寄与しない無効電流を抑制するホールトラップ層を含み、上記ホールトラップ層の半導体レーザ形成領域と、上記ホールトラップ層の光変調器形成領域とは、互いに分離されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/103
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/103
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM